一·單管區熔爐 控制方式采用觸摸屏+PLC 設備用途：
1. 提純金屬、半導體、有機和無機的化學材料；
2. 區熔致勻（使一種欲摻入的雜質十分均勻地分布在整個單晶
體中）
3. 焊接和測量液體中的擴散率等。
二·單管區熔爐 控制方式采用觸摸屏+PLC 設備優點：
1·區熔加熱爐采用往復區熔的方式，閉環溫度控制，可靠的控制熔區的寬度問題；生長室的設計成功解決生長室的污染問題，
2·將加熱及保溫材料均設置在生長腔室外部，采用高純石英作為腔室，同時抽真空；將流動高純氫氣通入腔室，去除腔室中的微量氧，解決氧化的問題；
3·開發高柔性的控制軟件，采用觸摸屏進行操作，任意設置區熔的溫度，區熔的速度及次數。
三·主要技術參數
1.加熱溫度： 1100℃ 使用溫度：≤1000℃(主加熱采用紅外測溫）
2.設備功率： 10Kw±10% 三相380v 50Hz（三相五線制）
3.超高頻感應電源功率： 6Kw±10% 單相220v 50Hz（三相五線制）
4.主加熱方式： 高頻感應加熱
5.設計前配置輔助加熱：采用電阻加熱 加熱功率≤1kw 溫度范圍≤500℃，溫度可控可設定。
4.冷態極限真空度： ≤5Pa
5·石墨舟尺寸：Ф50*400mm（內徑*長度，半圓柱）（根據實際微調整）
6·石英管（腔室）尺寸：￠60*1000（根據實際加熱分布情況做調整）
7·加熱方式： 高頻感應加熱
9·區熔熔區長度及速度：400mm 位移行程 ≥500mm
快速：50-200mm/min（伺服控制）可根據客戶需求設計
10.爐內充氣壓力： ≤0.03MPa（氬氣 氫氣）
11·充氣系統： 自動充放氣（配置氫氣點火裝置）
